Der Blätterkatalog benötigt Javascript.
Bitte aktivieren Sie Javascript in Ihren Browser-Einstellungen.
The Blätterkatalog requires Javascript.
Please activate Javascript in your browser settings.
18 www markttechnik de Nr 910 2021 wurde als Highk-Dielektrikum in DRAM-Zellen eingesetzt Es handelte sich also nicht um ein exotisches sondern in der CMOS-Fertigung vollkommen übliches Material Es lag nahe sich näher mit dessen Eigenschaften zu beschäftigen und so wurde bei Qimonda entdeckt dass HfO2 unter bestimmten Umständen ferroelektrisch wird und sich damit als Herz einer nichtflüchtigen Speicherzelle verwenden lässt Nach der Pleite von Qimonda führte die TU Dresden die Forschungen an dem Material fort und deshalb hatte ich mich sehr darauf gefreut selber im Rahmen meiner Promotion ab 2011 daran weiterarbeiten zu können Die Besonderheit war also dass das HfO2 so fertigungsfreundlich war? Ja HfO2 wurde schon damals in der Massenfertigung von Transistor-Gate-Stacks seit einigen Jahren erfolgreich eingesetzt Das bedeutet für uns Wir können jeden Transistor in eine nichtflüchtige Speicherzelle verwandeln Das funktioniert mit keiner Technik so einfach Das Resultat Ob es um die Schreib-Lesegeschwindigkeit geht den Datenerhalt die Leistungsaufnahme die Skalierbarkeit oder die Integrierbarkeit in SoCs überall versprachen FeFETs besser zu sein als existierende oder alternative nichtflüchtige Speicher die entwickelt wurden oder derzeit entwickelt werden Inzwischen versprechen sie es nicht nur Wir konnten anhand von Demonstratoren die von Globalfoundries in Dresden gefertigt wurden reale Messergebnisse erzielen die die Überlegenheit der FeFET-Speichern auf Basis von HfO2 belegen Irgendwie muss das HfO2 die ferroelektrischen Eigenschaften im Laufe des Prozesses verliehen bekommen Lässt sich kurz sagen wie dies geschieht? Die ferroelektrischen Eigenschaften erhält HfO2 zunächst nur wenn es in einer kristallinen Form vorliegt Das ist ein wesentlicher Unterschied zum HfO2 welches schon seit vielen Jahren in jedem Logik-Transistor verwendet wird Dort ist HfO2 ein amorphes Material Ebenso muss die kristalline Form von HfO2 eine spezielle Kristallstruktur aufweisen welche wir anhand von Dotierung induzieren können Die wesentlichen Unterschiede liegen also in Kristallisation und Dotierung des HfO2 Wann tauchte der Gedanke auf eine eigene Firma zu gründen? Schon 2013 war ich überzeugt dass sich die neue Technik als Grundlage für eine Ausgründung eignen würde Damals begann ich mich um Fördermittel zu kümmern und ein Team zusammenzustellen Als ich 2015 promoviert wurde kamen auch die Fördermittel an Im Rahmen eines Programms zur Unterstützung von Ausgründungen erhielten wir ca 700 000 Euro vom BMWi Im Juli 2016 gründeten wir FMC offiziell 2017 konnten wir das erste Venture Capital vom High-Tech-Gründerfonds einwerben 2018 ermöglichte uns das German Accelerator Program über drei Monate das Silicon Valley zu besichtigen und dort mit Investoren in Kontakt zu treten Das führte 2018 zur A-Finanzierungsrunde Somit konnten wir vom Vier-Personen-Uni-Team zu einer Firma mit mehr als 18 Angestellten wachsen Die AFinanzierungsrunde hat uns bis 2020 gebracht jetzt konnten wir in der B-Finanzierungsrunde weitere 20 Mio Dollar einsammeln Kümmert sich außer FMC noch ein weiteres Unternehmen auf der Welt um diese besondere in Deutschland von Qimonda entdeckte Technik? Ich finde es schon bemerkenswert dass die Technik hierzulande entdeckt und nicht mit Qimonda untergegangen ist sondern an der TU Dresden in Zusammenarbeit mit Fraunhofer und Globalfoundries weiterentwickelt wurde Das Schöne ist dass die ferroelektrische Technik auf Basis von HfO2 im Laufe der Jahre weltweit auf großes Interesse gestoßen ist Auf der IEDM die im Dezember 2020 virtuell stattfand gab es mehr als 20 Beiträge zu ferroelektrischen Speichern darunter von Firmen wie Kioxia ehemals Toshiba Intel und Samsung Zum Vergleich Über MRAMs und RRAMs wurden nur 12 Vorträge gehalten Das zeigt Unsere Technik ist weltweit angekommen Besteht nicht die Gefahr von den Gro ßen überrollt zu werden? Wir haben in der FeFET-Technologie noch immer einen Knowhow-Vorsprung aufgrund unserer Entwicklungen der letzten Jahre Außerdem sichern wir uns mit vielen Patenten ab Die Großen sind also an einer Zusammenarbeit interessiert Wenn die weltweit bedeutendsten Halbleiterhersteller aktiv werden und die Technologie in Produktion bringen dann werden auch wir erfolgreich Sind die großen Unternehmen tatsächlich an einer Zusammenarbeit interessiert? Im Moment findet ein interessanter Umbruch statt Traditionell hatten beispielsweise die Controller-Hersteller ihre eigenen Speichertechnologien entwickelt mit denen sie die eingebetteten nichtflüchtigen Speicher gefertigt haben Das ändert sich seit geraumer Zeit Viele wie Infineon NXP und Renesas lassen in Foundries fertigen Wir sind jetzt als SpeicherStartup in einer günstigen Position Wir sind das Bindeglied zwischen den Foundries und den Fabless-Firmen Die Fabless-Firmen benötigen Zugang zu FeFET-Designs die Foundries benötigen Zugang zur FeFET-Technologie Beides wird von FMC angeboten Was ist das Besondere am TechnologiePfad? Dabei handelt es sich um einen Teil unserer Semiconductor-IP Die meisten IP-Firmen beschränken sich auf den Design-Pfad wie beispielsweise ARM Es geht ARM um die Controller-Architektur darin liegt die Differenzierung In den Fertigungsprozess greift ARM jedoch nicht ein Bei uns geht beides dagegen Hand in Hand Wir müssen uns genauso um den Speicher-IP also um die Speicherarchitektur bzw den Design-Pfad kümmern wie auch um die Prozesstechnik also den Technologiepfad Beides ist in diesem Fall nicht zu trennen Eine Zielgruppe ist also die Foundry-Industrie? Unsere Vision ist es unsere Technologien allgemein in Fabs umzusetzen und unsere Technologie zu verbreiten Die Foundries suchen immer mehr nach Speichertechniken die sie einfach in ihren Prozess-Flow integrieren können Dass kommt uns entgegen Wann soll es so weit sein dass zum Beispiel ein Controller-Hersteller auf die Speicher von FMC zugreifen kann? Unser Ziel besteht darin in drei Jahren fertig qualifiziert zu sein sodass die Firmen auf unsere Speicher-Technologie zugreifen können um die FeFETs als Embedded Memory in ihren Controllern SoCs und ASICs zu integrieren Das Interview führte Heinz Arnold Dr Stefan Müller FMC Wir sind in der jetzigen Zeit als Speicher-Startup in einer günstigen Position Wir sind das Bindeglied zwischen den Foundries und den Fabless-Firmen Fokus|Speichertechnik