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impulse Bild 6 40-kV-Silizium-Vakuum-Transistor ger Oberflächenrauhigkeit und feinere Designregeln unterstützen All dies wird für die erhöhte Schaltungsdichte und Leistung benötigt die die Hochfrequenzanwendungen von morgen erfordern Auf der IEDM stellten Intel-Forscher einen neuen Fertigungsprozess für verlustarme organische Substrate vor Bild 5 Er verwendet lithografisch definierte im Gegensatz zu lasergebohrten Durchkontaktierungen die engere Prozesstoleranzen und Kupferverbindungen im Substrat erlauben Die Forscher bauten Strukturen und Bauelemente wie koaxiale und koplanare Wellenleiter High-Q-HF-Induktivitäten Filter und andere für einen Frequenzbereich von 1 bis 330 GHz die überlegene elektrische Eigenschaften im Vergleich zu Keramiken zeigten Sie behaupten dass die Leistung mit neuen dielektrischen Adhäsionstechniken und fortschrittlichen organischen dielektrischen Aufbaufilmen verbessert werden kann Paper 17 5 40-kV-Silizium-Vakuum-Transistor Ein Team unter Leitung des MIT hat den ersten Si-Vakuumtransistor beschrieben der bei ca 40 kV arbeitet und das Potenzial hat eine halbleiterähnliche Grundfläche zu haben Bild 6 Ein solch hohes Spannungsniveau ist normalerweise für Materialien mit breiter Bandlücke wie SiC und GaN reserviert Der ProofofConcept-Baustein besteht aus einem Gated Field Emission Array d h einer Elektronenquelle einer Vakuum-DriftRegion und einer Metallanode Die Elektronen werden vom Gated Field Emission Array durch Tunneln in das Vakuum emittiert durchlaufen es und werden an der Anode gesammelt Das Vakuum bestimmt die Transporteigenschaften und die Hochspannungsisolation Mit dieser Technologie lieferten die Forscher intrinsische Benchmarks für Vakuumtransistoren Die Forscher sagen dass das hohe kritische elektrische Feld und die unbegrenzte Ladungsträgergeschwindigkeit dieser Bauelemente zu kompakten hochleistungsfähigen Vakuumbauelementen führen können die in der Lage sind Festkörperbauelemente in allen Metriken zu übertreffen was sie für eine Reihe von Hochleistungsund Hochfrequenzanwendungen und auch als Röntgenquellen der nächsten Generation geeignet macht Paper 5 2 5-kV-AIGaN GaN-Power-SchottkyBarrier-Dioden Seit Jahren sind bipolare Si-PN-Dioden die vorherrschende Diodentechnologie für den Bau von HochspannungsGleichrichtern 1 7 10 kV für industrielle Motorantriebe gepulste Stromversorgungssysteme und Stromnetzanwendungen aber die Leistung der Dioden ist durch schlechte Rückerholungszeiten begrenzt In jüngerer Zeit wurden unipolare SiC-Schottky-Barriere-Dioden und Sperrschicht-Schottky-Dioden bis zu 10 kV demonstriert und bei 3 3 kV www schlegel biz innovativer Befestigungsmechanismus für Wandund Profilmontage Leergehäuse M12-Gehäuse AS-Interface IO-Link Funk sWave® proboxx - Zusammenspiel aus Design und Funktion Schlegel_EK_05_21 pdf S 1 Format 185 00 x 90 00 mm 23 Feb 2021 11 54 09 Bild IEDM | MIT kommerzialisiert GaN hat jedoch bessere physikalische Eigenschaften als Si und SiC und auf der IEDM beschrieb ein Team unter Leitung von Virginia Tech den ersten MultikV-Betrieb von lateralen AIGaN GaN-Schottky-Dioden Bild 7 Aufgebaut auf 4-Zoll-GaNauf-SaphirWafern bestehen die Bauelemente aus einem Stapel von fünf parallelen 2D-EGKanälen bidirektionales Elektronengas in Kombination mit einer auf Rippen Fin basierenden 3D-Anodenstruktur die den pn-Übergang um die Fins wickelt Sie demonstrierten eine Durchbruchspannung von 5 2 kV einen spezifischen OnWiderstand von nur 13 5 mΩ cm2 und einen niedrigen Off-State-Leckstrom was zu einer Kennzahl FoM Figure of Merit von 2 GW cm führt die die von unipolaren SiC-Schottky-Barriere-Dioden übertrifft Die Ergebnisse zeigen das Potenzial von AIGaN