Der Blätterkatalog benötigt Javascript.
Bitte aktivieren Sie Javascript in Ihren Browser-Einstellungen.
The Blätterkatalog requires Javascript.
Please activate Javascript in your browser settings.
12 Elektronik 04 2021 impulse den möglichen Einsatz in eingebetteten DRAM-Speichern herzustellen Er zeigte eine Lebensdauer von zehn bis zwölf Zyklen selbst bei hohen Temperaturen und eine Betriebsspannung von 1 8 V Die Forscher verwendeten diese AFE-Kondensatoren in einer neuartigen Speicherarchitektur für ultrahohe Bitdichten ein vertikaler Stapel der auf einem Zugriffstransistor mit mehreren parallel geschalteten AFE-Kondensatoren basiert Jeder Kondensator repräsentiert ein einzelnes Speicherbit Durch das vertikale Stapeln von vier AFE-Kondensatoren konnte eine signifikante Erhöhung der Dichte erreicht werden ohne dass die Fläche vergrößert wurde Paper 28 1 Eine neue Kraft in ferroelektrischen Tunnel-Junction-Speichern Ferroelektrische Tunnelübergänge FTJs sind vielversprechende Kandidaten für nichtflüchtige Speicher NVMs wie z Bfür Ultra-Low-Power-Datenspeicher und neuromorphes Computing Sie verfügen über eine ultradünne ferroelektrische Barriereschicht die zwischen zwei Elektroden liegt Die Modulation des Barrierewiderstands oder der Höhe durch die Steuerung der Polarisation verhindert oder ermöglicht das Quantentunneln von Elektronen durch die Barriere und gewährleistet so die Speicherung oder den Abruf von Daten Die Suche nach einem optimalen Barrierematerial war bisher je-3D Embedded DRAM mit gestapelten antiferroelektrischen HZO-Kondensatoren stellten Forscher von Intel vor Bild IEDM | Intel doch eine Herausforderung Auf der IEDM diskutierte ein Team unter der Leitung der University of Florida seine Arbeit bei der es einen ferroelektrischen Tunnelübergang simulierte und baute indem es dünne Schichten ca 4 nm eines Vander-WaalsMaterials CulnP2 S6 CIPS auf einer Graphenschicht vertikal stapelte um atomare Heteroübergänge an der CIPS-GraphenGrenzfläche zu erzeugen Die Heteroübergänge sind zwischen einem SiO2 -Substrat und einem Topmetall Gold -Kontakt eingebettet Vander-WaalsKräfte sind schwache Anziehungs-Abstoßungskräfte zwischen Atomen Molekülen und Oberflächen Simulationen der Leistung dieser Heteroübergänge die durch Laborexperimente verifiziert wurden zeigten ein rekordverdächtiges TunnelElektrowiderstands-Verhältnis von -6x107 was den Weg zu einer möglichen neuen NVM-Speicherbausteinstruktur mit einem exponentiell höheren On Off-Verhältnis als bei bestehenden Bausteinen und 1 ns Leselatenz aufzeigt Paper 4 1 Quanten-Computing Quantencomputer nutzen die Prinzipien der Quantenmechanik um Daten auf eine neuartige Weise zu verarbeiten Während heutige Computer Bits aus den Ziffern 0 und 1 manipulieren verarbeiten Quantencomputer Quantenbits Qubits die 0 1 oder beides gleichzeitig darstellen dank ihrer Fähigkeit sich im Quantenzustand der Superposition zu befinden Ein Computer mit vielen Qubits könnte eine immense Anzahl von Berechnungen parallel ausführen was zu einer unglaublich schnellen energieeffizienten Leistung führt Allerdings sind Qubits instabil mit kurzen Kohärenzzeiten d h wie lange sie in einem Quantenzustand bleiben können Es gibt bereits einige Quantencomputer aber sie verwenden nur wenige Qubits sind fehleranfällig und instabil und arbeiten bei kryogenen Temperaturen Qubits beginnen vom Labor in die Fabrik zu kommen Qubits werden oft aus Quantenpunkten hergestellt Partikel von wenigen Nanometern Größe die aus Halbleitern bestehen Quantenpunkt-Qubit-Systeme auf Siliziumbasis sind für den potenziellen Einsatz in großen Quantenprozessoren attraktiv weil sie relativ lange Kohärenzzeiten und einen hochgradig zuverlässigen Betrieb in Laborumgebungen gezeigt haben und weil die Siliziumtechnologie im Vergleich zu anderen MaterialImec-Forscher stellten eine Plattform zur Untersuchung von Silizium-Qubits vor die auf der industrieüblichen 300-mm-Silizium-Wafer-Fertigungstechnologie anstelle von speziellen Laborprozessen basiert Bild IEDM | Imec