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10 Elektronik 04 2021 impulse Drei Speichertechnologien schicken sich an besonders anspruchsvolle Anwendungen zu revolutionieren Hochdichte 28-nm-FDSOI-Embedded-PCM-Speicher Fully Depleted Siliconon-Insulator für den Automotive-Einsatz In heutigen Fahrzeugen werden zahlreiche Mikrocontroller zur Überwachung und Steuerung von Fahrerassistenzsystemen ADAS des Antriebsstrangs von Infotainmentund Komfortsystemen sowie weiteren Funktionen eingesetzt Diese SoCs System on Chips müssen eine hohe Leistung eine geringe Stromaufnahme und ein hohes Maß an Zuverlässigkeit bieten Da der Softwarecode mit dem automobile Systeme betrieben werden immer größer wird wächst auch der Bedarf an mehr Codespeicher in hochdichten nichtflüchtigen Embedded-Speichern eNVM Auf der IEDM stellte ein Team von STMicroelectronics CEA-Leti eine ultradichte Zellgröße = 0 019 µm2 eingebettete Phase-Change-Memory-Technologie PCM für Automotive-SoCs vor die den strengen AEC-Q100-Grade-0-Standard für Zuverlässigkeit im Automobilbereich erfüllt Sie nutzt ein 28-nm-FDSOI-Substrat eine neuartige SSTIIsolierung Super-Shallow Trench Isolation für die Bit-Leitung die kein Ätzen und Füllen des Grabens erfordert Triple-GateOxide-Transistoren für hohe Spannungen 5 Vund einen kompakten BJT-Selektor Bipolar Junction Transistor Paper 24 2 3D Embedded DRAM mit gestapelten antiferroelektrischen HZO-Kondensatoren Intel-Forscher stellten ihre Arbeit vor bei der sie das antiferroelektrische AFE Material Hafnium-Zirkonium-Oxid HfZrO2 verwenden um einen 3D-Kondensator mit tiefem Graben für 66 International Electron Devices Meeting Die Highlights der Halbleiterforschung Die traditionsreiche Halbleiterkonferenz IEDM war wegen der Corona-Pandemie in den virtuellen Raum verlagert was dem Feuerwerk an Highlights aber keinen Abbruch tat Nach den Trends bei den CMOS-Technologien in Teil 1 folgt die Fortsetzung zu Speichern und Quanten-Computing Von Gerhard Stelzer Teil 2 Auf der IEDM stellte ein STMicroelectronics CEA-Leti-Team eine ultradichte eingebettete Phase-Change-Memory-Technologie für Automotive-SoCs vor die den strengen AEC-Q100-Grade-0-Standard erfüllt Sie nutzt ein 28-nm-FDSOI-Substrat Bild IEDM | STMicroelectronics | CEA-Leti