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Nr 48 2020 www markttechnik de 3 Aktuell Nachrichten führen Doch wer wenn auch nur unwissentlich gefälschte Chips einsetzt sitzt auf tickenden Zeitbomben Wie sich die Systemhersteller davor schützen können gefälschte Chips zu verwenden wie sie mit dem Problem von BauteileAbkündigungen umgehen sollten und wie ein professionelles Obsolescence-Management aussieht lesen Sie in unserem Thema der Woche ab S 18 ha ■ setzen um nichtflüchtige Speicherzellen zu realisieren ist alles andere als neu auf breiter Front durchsetzen konnte sich diese Technik aber nicht Denn es ist schwierig die bisher exotischen ferroelektrischen Materialien kosteneffizient in den CMOS-Prozess zu integrieren Genau hier setzt FMC an Die Technik basiert auf Hafniumdioxid HfO2 Dieses Material zeichnet sich durch eine hohe Dielektrizitätskonstante aus und wird in den Kondensatoren von DRAMs verwendet um deren Kapazität zu erhöhen Auch Ingenieure von Qimonda beschäftigten sich damit und machten eine Entdeckung HfO2 wird in einer bestimmten kristallinen Phase ferroelektrisch Die Idee das Material einzusetzen um eine nichtflüchtige Speicherzelle aufzubauen überlebte Qimonda und 2016 wurde FMC gegründet Die Technik der von FMC entwickelten FeRAMs hatte Ali Pourkeramati der fast sein ganzes 33-jährigtes Berufsleben im Umfeld der nichtflüchtigen Speicher wie EPROMs EEPROMs und Flash-Memories unter anderem als CTO von Spansion verbracht hat nachhaltig beeindruckt »Ich habe in meiner ganzen Laufbahn noch keinen Ansatz gesehen der so vielversprechend ist wie der von FMC Ob es um die Schreib-Lesegeschwindigkeit geht den Datenerhalt die Leistungsaufnahme die Skalierbarkeit oder die Integrierbarkeit in SoCs überall sind die FeRAMs von FCM besser als existierende oder alternative nichtflüchtige Speichertechniken die derzeit entwickelt werden« sagte Ali Pourkeramati gegenüber Markt&Technik Weitere wesentliche Pluspunkte HfO2 ist voll kompatibel zum CMOS-Prozess und wird schon lange eingesetzt Vor allem lassen sich FeRAMs als Embedded-Speicher in SoCs integrieren Das ist der große Nachteil der Flash-Zellen Weil sie unterhalb des 28-nm-Prozesses nicht mehr skalieren sind die Hersteller auf den Trick verfallen in die dritte Dimension zu gehen und die Speicherzellen in Schichten übereinander zu stapeln Das funktioniert bisher für Stand-Alone-3DNAND-Flash-ICs sehr gut Erst kürzlich hatte Micron einen 3DNAND-Flash mit 176 Lagen vorgestellt Doch diese Speichertechnik lässt sich nicht für Speicher nutzen die in SoCs integriert werden sollen Jetzt ist es Ali Pourkeramati gelungen Investoren über die gesamte Wertschöpfungskette der ICFertigung für die FeRAMs von FMC zu gewinnen Unter Führung von M-Ventures Merck und imec xpand zählen TEL Venture Capital SK Hynix und Robert Bosch Venture Capital zu den BRunde-Investoren Der bestehende Fortsetzung von Seite 1 Vorsicht gefälschte Bauelemente! Fortsetzung von Seite 1 »Besser als alle anderen Speichertechniken« Investor eCapital aus der ersten Finanzierungrunde über 5 Mio Euro hat sich ebenfalls an der B-Runde beteiligt Nun ist also ein führender Hersteller von Materialien ein Tool-Hersteller ein führender ICHersteller und mit Bosch ein Hersteller der die ICs einsetzt dabei »Jetzt können die Investoren FMC über alle Ebenen hinweg dabei unterstützen die neue ferroelektrische Speichertechnologie auf den Markt zu bringen« freut sich Ali Pourkeramati Dr Ingo Ramesohl Managing Director von Robert Bosch Venture Capital begründet das Investment vor allem in Hinblick auf KI »Embedded-KI für den Einsatz in Autos und im Industrie-4 0-Umfeld erfordert sehr viel Speicher um die riesigen Datenmengen verarbeiten zu können Mit ihrer sehr geringen Leistungsaufnahme nahe Null und den schnellen Zugriffszeiten haben die FeRAMs wie keine andere Technik das Potenzial Inferenz und Training in Edge-Geräten deutlich zu verbessern « Ali Pourkeramati rechnet damit dass die ersten SoCs mit Embedded-FeRAMs ab Ende 2023 produziert werden können und die ersten Geräte die mit diesen SoCs arbeiten ab 2025 verkauft werden Es werde sich dabei voraussichtlich um Consumer-Geräte im IoTUmfeld handeln Als Foundry hatte FMC bereits Globalfoundries gewonnen inzwischen sei laut Pourkeramati eine weitere bedeutende Foundry in Asien dazu gekommen ha ■ Ali Pourkeramati FMC »Diese Finanzierungsrunde wird die Kommerzialisierung unserer ferroelektrischen Feldeffekttransistorund KondensatorTechnologie in exponentiell wachsenden Märkten in den Bereichen KI IoT Embedded-Speicher und Hochleistungsrechenzentren beschleunigen « Li+-Ladezustandsmess-IC Erstmals mit Überwachung der Selbstentladung Das Ladezustandsmessund Schutz-IC MAX17320 von Maxim Integrated Products verlängert die Laufzeit von mehrzelligen batteriebetriebenen Produkten und überwacht gleichzeitig auf Gefahren durch Selbstentladung Der MAX17320 ist ein batteriepackseitiges Ladezustandsmessund Schutz-IC für Lithium-Ionen Li+ -Batterien mit 2 bis 4 Zellen 2S-4S und gehört zu einer Familie von ICs die mit Maxims patentiertem ModelGauge m5 EZ-Algorithmus ausgestattet ist der laut Unternehmensangabe eine 40 Prozent genauere Ladezustandsanzeige SOC bietet als Wettbewerbslösungen Der ModelGauge m5 EZ-Algorithmus macht ferner die Batteriecharakterisierung für die meisten gängigen Li+-Zellen überflüssig Der Ladezustandsmesser bietet zusätzlich den branchenweit niedrigsten Ruhestrom IQ der 85 Prozent niedriger ist als beim unmittelbaren Wettbewerber und verfügt über eine SHA-256-Authentifizierung um Systeme vor gefälschten Batterien zu schützen st ■