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www rutronik com Für die Gesamtverluste gilt Pv = Ps + Pt + Psperr Schalt-+ Durchlassverluste + Sperrverluste Während mit größer werdendem Durchlassstrom in Durchlassrichtung die Verlustleistung in der Diode steigt bleibt sie in Sperrrichtung konstant Daher hat der Leckstrom IR der SiCSchottky-Diode im Aufwärtswandler Booster mit niedrigem Ausgangsstrom einen nicht unerheblichen Anteil an den Gesamtverlusten Bei hohen Strömen wiederum überwiegt die Durchlassspannung UF Da die Schottky-Diode die meiste Zeit über in Sperrrichtung betrieben wird wirkt sich der Sperrstrom deutlich auf die Verlustleistung der Diode aus Es genügt deshalb nicht nur auf eine möglichst geringe Durchlassspannung bei der Diode zu achten Zielführender ist es hier IR und UF in Kombination zu betrachten und dann zu bewerten wie beide zur Gesamtverlustleistung der Diode beitragen Je höher die Ausgangsspannung des Boosters ausfällt desto höher ist auch die Einschaltdauer und desto länger bleibt die Schottky-Diode in Sperrrichtung Wird bei Schottky-Dioden die Durchlassspannung reduziert erhöht sich der Rest-Sperrstrom sodass hier eine optimale Diode gefunden werden muss Bei der Auswahl von Dioden ist es also entscheidend die Durchlassverluste die Schaltverluste und die Speicherladung zu minimieren und gleichzeitig die Durchbruchspannung und das sanfte Kommutierungsverhalten zu maximieren Um eine gute Energieeffizienz zu gewährleisten ist bei Schottky-Dioden die Gesamtverlustleistung anstelle individueller Baustein-Parameter oftmals der schlüssigere Ansatz SiC-Schottky-Dioden sind aufgrund der niedrigeren Schaltverluste und des Wegfalls der Rückstromspitze beim Ausschalten der Diode wesentlich effizienter als Si-Dioden Störaussendungen werden entsprechend reduziert und das EMI-Verhalten des gesamten Systems verbessert Schaltprinzip des Boost Converters Bild Rutronik