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www rutronik com Committed to Excellence Powered by 2020 19 Speicher fürs Internet der Dinge Die User Experience mit IoT-RAM verbessern IoTund Embedded-Anwendungen erfordern immer mehr Speicher mit höherer Bandbreite kleinem Formfaktor und geringer Leistungsaufnahme So stellt sich für viele Entwickler die Frage wie ein idealer Speicher für diese Anwendungen aussehen könnte Die Messlatte für die Nutzererlebnisse von IoTund Embedded-Anwendungen wird immer höher Hierfür sind mehr Speicher mit höherer Bandbreite kleinem Formfaktor geringer Leistungsaufnahme und damit weniger Wärmeentwicklung bei gleichen oder sogar niedrigeren Bauteilekosten nötig Das gilt umso mehr wenn künstliche Intelligenz KI und oder maschinelles Lernen ML dazukommen SRAM statisches RAM ist nach wie vor der Speicher der die höchste Geschwindigkeit und geringste Latenz aufweist und dem Prozessor am nächsten liegt Doch er hat einige Nachteile Die reguläre 6T-SRAM-Layout-Topologie hat sich nicht in gleichem Maß verkleinert wie die Prozessknoten Zudem nimmt die Verlustleistung bei Embedded SRAM mit steigendem CPU-Stromverbrauch zu Dadurch lassen sich die Beschränkungen bei der Leistungsaufnahme und die steigenden Speicheranforderungen der neuesten IoT-Applikationen mit Embedded SRAM immer schwerer erfüllen Bei externen SRAMs kommt hinzu dass die hohe Anzahl an Transistoren für steigende Speicherkosten sorgt Damit können auch die eingeschränkten Formfaktoren kaum erfüllt werden Externes DRAM dynamisches RAM bietet immer noch erhebliche Kostenvorteile gegenüber SRAMs Es liefert mit einem einzigen Transistor und Kondensator eine vergleichbare Leistung und ermöglicht so eine wesentlich höhere Array-Dichte Für Anwendungen die immer oder meistens an eine Stromversorgung angeschlossen sind kann externes DRAM eine akzeptable Lösung darstellen Allerdings kommen die Bausteine mit einer hohen Pinzahl und sind aufgrund ihrer Aktualisierungsanforderungen und dem stetig komplexeren Routing aufwändig zu integrieren Ältere SDRAMs synchrone DRAMs mit niedriger Dichte wurden für ältere Prozessknoten entworfen und eignen sich aufgrund ihrer Größe kaum für kompakte und energieeffiziente Systeme Gefragt ist also eine Speicheralternative die ein hohes Leistungsniveau bei niedrigeren Kosten und geringerem Stromverbrauch bietet und gleichzeitig die steigenden Anforderungen eines umfassenden IoT-Nutzererlebnisses erfüllt IoT-RAM kombiniert Vorteile von DRAM und SRAM IoT-RAM basiert auf der Technologie des pseudostatischen RAM PSRAM Sie kombiniert die Vorteile von DRAM kleine Fläche sowie Produktkosten von bis zu einem Zehntel von Von Chen Grace Wang Product Manager bei Rutronik und Wesley Kwong Business Development Manager bei AP Memory Bilder AP Memory Knowhow|Speicher