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Nr 41 2020 www markttechnik de 3 Aktuell Nachrichten Easy to use das ist das Ziel! Entwicklern wird es damit ermöglicht Geräte zu realisieren die mehr Leistung verarbeiten als ihre Vorgängergenerationen während sie unter anderem bedingt durch die geringere benötigte Bauteileanzahl gleichzeitig kleiner leichter und energieeffizienter sind Auswirken wird sich das als Erstes im Bereich sehr schneller Smartphone-Ladegeräte kabelloser Ladegeräte und USB-PD-Kompaktnetzteile für PCs und GamingProdukte »aber auch in gewerblichen Applikationen wie etwa Sonnenenergie-Speichersystemen USVs sowie High-End-OLEDFernsehern und Server-Clouds« wie Gabriele Gherdovich Segment Marketing Manager Industrial & Power Conversion Division AMS bei STMicroelectronics erläutert Konkret lassen sich durch den Einsatz dieses neuen SysteminPackages von ST Ladegeräte entwickeln die gegenüber siliziumbasierten Geräten um 80 Prozent kleiner und um 70 Prozent leichter ausfallen Parallel dazu lassen sich die Ladezeiten um den Faktor 3 verkürzen So kündigt Gherdovich Kundenprodukte an die eine 50-prozentige Ladung von Smartphones in weniger als zehn Minuten erreichen werden Mindestens genau so wichtig wie diese direkten Produktverbesserungen dürfte die deutlich schnellere Markteinführung der mit der MasterGaNPlattform entwickelten Produkte sein STMicroelectronics bringt die neuen GaN-Produkte zum Stückpreis von 7 Dollar ab einem Auftragsvolumen von 1000 Chips auf den Markt Als erstes Produkt der Plattform am Markt erhältlich ist nun der MasterGaN1 der auf die Realisierung von Stromversorgungslösungen bis 500 Wzielt Er kombiniert 600-V-Gate-Treiber der STDriveSerie mit zwei selbstsperrenden GaN-Transistoren mit exakt übereinstimmenden Timing-Parametern einem Grenzstrom von 10 Aund einem Einschaltwiderstand von 150 mΩ Die Logikeingänge des Chips sind kompatibel zu Signalen von 3 3 bis 15 V Zu den einFortsetzung von Seite 1 Erste GaN-Plattform gebauten Schutzfunktionen des Chips gehören beispielsweise eine Highund Lowseitige Unterspannungssperre eine Verriegelungsfunktion Interlock ein spezieller Shutdown-Pin und ein Überhitzungsschutz Wie Gherdovich betont basiert die MasterGaN-Plattform ausschließlich auf der Entwicklungsleistung von STMicroelectronics Knowhow des im Frühjahr dieses Jahres von ST übernommenen GaN-Pioniers Exagan sei nicht in dieses Produkt eingeflossen Bis in die Mitte des nächsten Jahres hinein wird STMicroelectronics weitere Produkte auf Basis der MasterGaN-Plattform vorstellen Sie werden ebenfalls in GQFN-Gehäusen angeboten und pinkompatibel zum MasterGaN1 sein jedoch über unterschiedlich große GaNTransistoren verfügen die im Vergleich zum MasterGaN1 unterschiedliche Einschaltwiderstände aufweisen werden Diese Produkte sind an vier Applikationsklassen mit Leistungen von 45 bis über 200 Wausgerichtet Wie Gherdovich auf Nachfrage bestätigt ist eine AEC-Q100-Zertifizierung der MasterGaN-Produkte nicht vorgesehen »Wir arbeiten an GaN-Produkten für den Automotive-Bereich dabei handelt es sich allerdings um andere Produktgruppen « Auf die Frage ob ST die Produkte der MasterGaN-Produktpalette selbst herstellt und wo ST diese Produkte produziert wollte Gherdovich keine direkte Antwort geben Allerdings hatten ST und TSMC Ende Februar die gemeinsame Entwicklung von GaN-Prozesstechnologie angekündigt eg n Gabriele Gherdovich STMicroelectronics »MasterGaN1 wendet sich an Stromversorgungs-Applikationen bis 500 W Bis zur Mitte nächsten Jahres werden wir weitere Produkte der MasterGaN-Plattform anbieten die Applikationen im Leistungsbereich von 45 bis über 200 Wadressieren « 4 Anwenderforum Leistungshalbleiter Fokus auf SiC GaN und das Arbeitspferd Si In knapp drei Wochen ist es wieder soweit! Am 28 und 29 Oktober findet das 4 Anwenderforum Leistungshalbleiter statt In diesem Jahr erstmals als virtuelles Event das Ihnen einen herstellerunabhängigen Überblick über die aktuellsten Entwicklungen und Trends in den Bereichen der Silizium-SiCund GaN-Leistungshalbleitertechnik bietet Als Keynote-Speaker fungieren in diesem Jahr Dr Peter Wawer President Industrial Power Control bei Infineon Technologies Edoardo Merli General Manager of Power Transistor Division bei STMicroelectronics und Philip Lolies Manager EMEA Region Power Products bei STMicroelectronics sowie Frank Heidemann vom SET Neben den drei Keynotes zählen auch in diesem Jahr wieder vier 45-minütige Intensivseminare zu den Highlights der Veranstaltung Aktuell bietet das Veranstaltungsprogramm der beiden Tage insgesamt 18 Vorträge von zwölf Unternehmen und Instituten Zu den vortragenden Unternehmen gehören unter anderem Infineon Technologies STMicroelectronics On Semiconductor Cree Rohm Semiconductor Nexperia SET sowie das Fraunhofer IISB Im Fokus der diesjährigen Veranstaltung stehen neben der weiteren Entwicklung im Silizium-Bereich wieder die WideBandgap-Materialien SiC und GaN Über die Hälfte der eingereichten Vorträge beschäftigt sich mit den Besonderheiten und Einsatzmöglichkeiten dieser beiden Leistungshalbleiter-Materialien Nähere Informationen über die zweitägige Veranstaltung und die Möglichkeit zur Anmeldung finden Sie unter events wekafachmedien de anwenderforumleistungshalbleiter eg n Keynote-Speaker auf dem Anwenderforum Leistungshalbleiter v l Dr Peter Wawer President Industrial Power Control bei Infineon Technologies Frank Heidemann vom SET und Philip Lolies Manager EMEA Region Power Products bei STMicroelectronics