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Nr 37 2020 www markttechnik de Als einer der führenden Distributoren für elektronische Bauelemente bieten wir Ihnen weltweit ein breites Produktportfolio kompetente technische Unterstützung bei Produktentwicklung und Design individuelle Logistik-Lösungen sowie umfangreiche Serviceleistungen ■ Semiconductors ■ Passive Components ■ Electromechanical Components ■ Displays & Monitors ■ Boards & Systems ■ Storage Technologies ■ Wireless Technologies Informationen zu RUTRONIK Tel +49 0 7231 801-0 | rutronik@rutronik com www rutronik com Als einer der führenden Distributoren für elektronische Bauelemente HIGHTECHBAUELEMENTE für Ihre Innovationen COMMITTED TO EXCELLENCE Consult | Components | Logistics | Quality nahme bei gleicher Geschwindigkeit möglich sein Die Logikdichte steigt laut Mii um den Faktor 1 7 die SRAM-Dichte um den Faktor 1 2 und die Dichte von Analogschaltungen um den Faktor 1 1 Die Risk Production ist für nächstes Jahr geplant die Serienfertigung soll im zweiten Halbjahr 2022 starten Mii »Es wird eine komplette Plattform entwickelt die sich sowohl für mobile als auch HPC-Anwendungen eignet « Beyond 3 nm Mii erklärt dass TSMC zuversichtlich ist auch für Beyond 3 nm zum richtigen Zeitpunkt die richtige Technologie verfügbar zu haben Bei Strukturen von unter 3 nm kommen neue Transistorstrukturen z B Nanosheets Nanowire und neue Materialien wie High-Mobility-Materialien für den Kanal 2D-Materialien und Carbon Nanotubes CNTs ins Spiel Laut Mii konnte TSMC sowohl bei den Transistoren als auch bei den Materialien bereits wichtige Fortschritte erzielen So hat das Unternehmen beispielsweise ein voll funktionsfähiges 32-MbitSRAM mit Nanosheet-FETs demonstriert das mit einer Spannung von 0 46 Vläuft Auf der IEDM 2019 wiederum hat TSMC zum ersten Mal gezeigt dass CNT-Transistoren für das Power Gating Einund Ausschalten von Schaltungblöcken auf Si-Wafern mithilfe eines 28-nm-Fertigungsverfahrens im BEOL Back End Of Line gefertigt werden können ohne dass die darunter liegenden FEOL-Transistoren Front End Of Line in ihrer Leistung degradieren Bei 2D-Materialien hält TSMC MoS2 WS2 und WSe2 für vielversprechende Ansätze Laut Mii arbeitet das Unternehmen auch an Möglichkeiten um die Belichtung mit EUV zu verbessern einschließlich OPC Optical Proximity Correction oder Mehrfach-Belichtung um unter 2 nm zu kommen Mii weiter »Außerdem arbeiten wir mit ASML an HighNA-EUV-Scannern « Specialty Technologies Unter dem Begriff Specialty Technologies fasst TSMC alle Nicht-Logik-Prozesse zusammen Dazu zählen Technologien für MEMS CMOS-Bildsensoren Embedded NVM nichtflüchtiger Speicher HF-Analog-HVund BCD-Power-Anwendungen TSMC ist dafür bekannt mit seinen Logikprozessen an vorderster Front des Möglichen zu stehen aber auch der Bereich mit den Specialty Technologies entwickelt sich laut Dr Kevin Zhang Senior Vice President Business