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16 05 2020 www medicaldesign news verfügt über einen sehr hohen Wirkungsgrad einen Eingangsbereich von 400 mV bis 5 5 Veine Induktivitätsspitzenstrombegrenzung von 225 mA und eine Ausgangsspannung die mit einem einzigen Standard-1-Prozent-Widerstand Stromversorgung Aufwärtswandler wählbar ist Ein neuartiger True-ShutdownModus liefert Leckströme im NanoampereBereich Jedes Detail der Familie MAX17220 MAX17225 wurde so ausgewählt um die geringste Leistung und die kleinste Lösungsgröße zu ermöglichen Dazu zählen Schaltfrequenzen bis zu 2 5 MHz winzige Gehäusevarianten Einstellwiderstand mit einem Ausgang 300 ns feste Einschaltzeit sowie drei Strombegrenzungsoptionen Diese Details ermöglichen es dem Anwender die Gesamtschaltungsgröße zu minimieren Die ICs werden in zwei Gehäusevarianten angeboten einem 2 mm × 2 mm kleinen μDFN-Gehäuse mit 6 Pins sowie einem 0 88 mm × 1 4 mm kleinen WLP-Gehäuse mit 6 Bumps 2 × 3 0 4 mm Pitch Geringe Eingangsspannung und niedriger Ruhestrom Der NanoPower-Auftwärtswandler hat einen sehr niedrigen Ruhestrom und ist für den Betrieb bei geringen Eingangsspannungen ausgelegt Er bootet sich selbst indem er Strom vom Ausgang zieht Wie in Bild 3 gezeigt beträgt der Eingangsruhestrom des ICs IQINT 0 5 nA Öffnen nach dem Start möglich und der Ausgangsruhestrom IQOUT beträgt 300 nA Um den gesamten Eingangsruhestrom zu berechnen muss der zusätzliche Eingangsstrom der zur Speisung des Ausgangsstroms IQOUT_IN benötigt wird zu IQINT addiert werden Da die Ausgangsleistung durch den Wirkungsgrad POUT = PIN x η mit der Eingangsleistung in Beziehung steht ergibt sich daraus Folgendes IQOUT_IN = IQOUT × VOUT VIN η Wenn VIN = 1 4 V VOUT = 3 3 Vund der Wirkungsgrad beträgt η = 88 Prozent bei Schwachstrom ergibt sich IQOUT_IN = 300 nA × 3 3 1 4 0 88 = 803 5 nA Durch die Addition dieser 803 5 nA zum Eingangsstrom von 0 5 nA ergibt sich ein Gesamt-Eingangsruhestrom von 804 nA IQINGT Dieser Ruhestrom ist zwölfmal niedriger als die 10 µA eines typischen Stepup-Spannungsreglers wie im vorherigen Fall diskutiert Bild 3 Aufwärtswandler mit niedrigen Abschaltund Ruheströmen Bild 4 Hocheffizienter Aufwärtswandler mit integrierten Leistungs-MOSFETs mit niedrigem On-Widerstand