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Thema der Woche|Leistungselektronik 16 www markttechnik de Nr 30 2020 Mit unseren interface-Lösungen Werden MessWerte zu ergebnissen die bobebox Für alle gängigen Messmittel für nahezu jede PC-Software und mit USB RS232 oder Funk Ihre schnittsteLLe zu uns www bobeie de Bobe_45x62_MT21 pdf S 1 Format 45 00 x 62 00 mm 09 May 2019 10 08 45 Anzeige Rohm Semiconductor baut Engagement im SiC-Bereich weiter aus Zusammenarbeit mit Vitesco Technologies Rohm Semiconductor ist eine Entwicklungspartnerschaft mit Vitesco Technologies eingegangen Ziel der Kooperation ist die PerformanceSteigerung zukünftiger Elektrofahrzeuge Parallel dazu hat Rohm vor Kurzem die vierte Generation seiner SiC-MOSFETs für Antriebsstränge und industrielle Stromversorgungen vorgestellt Seit dem Juni dieses Jahres arbeiten Rohm Semiconductor und Vitesco Technologies die Antriebssparte von Continental in einer Entwicklungspartnerschaft zusammen Vitesco Technologies wird dabei SiC-Leistungshalbleiter nutzen um die Effizienz seiner Leistungselektronik für Elektrofahrzeuge zu steigern Auf diese Weise kann entweder die Batterie kleiner werden ohne die Reichweite zu beeinträchtigen oder das Auto gewinnt bei gleichbleibend großer Batterie an Reichweite »Energieeffizienz ist im Elektrofahrzeug von herausragender Bedeutung Da die Antriebsbatterie die einzige Energiequelle im Fahrzeug ist sind alle Wandlungsverluste zu minimieren Deshalb entwickeln wir eine SiC-Option als Teil unseres modularen Leistungselektroniksystems« erläutert Thomas Stierle Leiter der Geschäftseinheit Electrification Technology bei Im Rahmen ihrer Entwicklungspartnerschaft arbeiten Rohm Semiconductor und Vitesco Technologies daran die beste Kombination von SiC-Technologie für die Großserienfertigung und die optimale Anpassung des Inverter-Designs für höchste Effizienz zu schaffen Bild Vitesco Technologies Vitesco Technologies die Hintergründe der neuen Entwicklungspartnerschaft »Um den maximalen Wirkungsgrad aus der Leistungselektronik und der E-Maschine herauszuholen werden wir SiC-Bausteine von unserem bevorzugten Partner Rohm Semiconductor einsetzen « »Wir freuen uns über die Zusammenarbeit mit Vitesco Technologies« versichert Dr Kazuhide Ino Corporate Officer Direktor der Geschäftseinheit Power Device bei Rohm »Wir sind weltweit der führende Anbieter bei SiC-Leistungshalbleitern und Gate-Treiber-ICs und haben uns auf diesem Feld einen erheblichen technischen Vorsprung erarbeitet Gemeinsam mit Vitesco Technologies wollen wir die Energieeffizienz von elektronischen Komponenten für die Elektromobilität weiter steigern und eine nachhaltige Mobilität sichern « Vitesco Technologies entwickelt und testet SiC-Technologie aktuell bereits in einem 800-V-Inverter-Konzept um das Effizienzpotenzial dieser Technologie zu bestätigen Bei diesem Programm ruht das Augenmerk auf dem Gesamtsystem aus Elektronik und Maschine um die beste Kombination aus Bausteintechnologie und Schaltstrategie zu bestimmen SiC-MOSFETs für 800-V-Batteriesysteme bieten für diese Aufgabe eine höhere Schalteffizienz höhere Schaltfrequenz steilere Schaltflanken und verursachen geringere Oberschwingungsverluste in der elektrischen Maschine Darüber hinaus ist die SiC-Technologie unverzichtbar für sehr schnelle Ladeverfahren mit 800 V Im Rahmen der Entwicklungspartnerschaft arbeiten beide Partner daran die beste Kombination von SiC-Technologie für die Großserienfertigung und die optimale Anpassung des Inverter-Designs für höchste Effizienz zu schaffen »Die SiC-Option ist ein vielversprechender zukünftiger Teil unseres modularen Leistungselektroniksystems aus Software