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DESIGN&ELEKTRONIK 07 2020 31 Alle Bilder Yole Développement Compound Semiconductor Quarterly Market Monitor März 2020 Wide-Bandgap-Halbleiter Leistungselektronik »2020 wird das GaN-Jahr!« Die Welt der Leistungselektronik gilt als sehr konservativ Doch mittlerweile haben SiC und GaN diese Welt gewaltig verändert Wie Yole Développement in ihrem aktuellen Compound Semiconductor Quarterly Market Monitor zeigt holt GaN gegenüber SiC derzeit mächtig auf Nach Unterlagen von Yole Développement Lange Zeit taten sich die Verbindungshalbleiter Siliziumkarbid SiC und Galliumnitrid GaN schwer beim Marktzugang wegen der Dominanz des Siliziums In den vergangenen zwei Jahren haben sich die Bedingungen jedoch geändert Im Jahr 2018 fand SiC Einzug in die Autos von Tesla GaN wiederum im vierten Quartal 2019 und im ersten Quartal 2020 in die Smartphone-Schnellladegeräte von Oppo Samsung Xiaomi und Realme Bild 1 Während SiC also seinen Höhenflug fortsetzt hat GaN seine Marktentwicklung gerade erst begonnen und entfaltet sich sehr schnell In ihrem Compound Semiconductor Quarterly Market Monitor für das erste Quartal 2020 errechnete das Analystenteam von Yole Développement ein Umsatzwachstum von 16 Prozent bei GaN gegenüber dem vierten Quartal 2019 Bis zum Jahr 2025 soll der GaN-Markt über 700 Mio US-Dollar erreichen während der SiC-Markt bis dahin über 3 Mrd US-Dollar schwer sein soll Bild 2 Bild 3 Zu Beginn des Jahres 2020 gab es in der GaN-Branche Neuigkeiten auf dem Markt für hochvolumige Schnelladegeräte im Consumer-Bereich ■ Der chinesische Smartphone-OEM Oppo hat sein Luxus-Flaggschiff Reno ACE herausgebracht in dem das beigefügte Schnellladegerät Super VOOC 65W mit GaN-Technologie enthalten ist ■ Der Marktbegleiter Xiaomi kündigte an für die Serie Xiami Mi 10 Pro als Zubehör ein GaNbasiertes USB-CSchnellladegerät mit 65 W Leistung auf den Markt zu bringen Es verwendet GaNauf-Silizium-Bausteine von Navitas Semiconductor ■ Ein anderer Marktbegleiter Realme kündigte die Einführung seines 5GSmartphones X50 Pro mit beigefügtem GaNbasierten Ladegeräten an die das Ladeprotokoll SuperDart verwenden ■ Neben der Lieferung von 45-W-Ladegeräten als Zubehör an Samsung hat Power Integrations verkündet dort auch einen Design-Win für ein im Set beigefügtes 45-W-Schnellladegerät erzielt zu haben »Der Markt für Galliumnitrid steht erst am Anfang seiner Entwicklung« erklärt Ezgi Dogmus Technologieund Marktanalystin bei Yole »GaN hat einen bedeutenden Schritt gemacht und wird voraussichtlich auch in die Schnellladegeräte anderer großer OEMs wie Apple und Huawei einziehen In diesem Zusammenhang sind 2020 und 2021 Schlüsseljahre in denen man auf die weitere Marktakzeptanz und die schnelle Verbreitung von GaNbasierten Schnellladegeräten achten muss « Bild 1 Bei Wide-Bandgap-Halbleitern hat sich viel verändert Im Jahr 2018 fand SiC Einzug in die Autos von Tesla GaN wiederum seit Ende 2019 in die Schnellladegeräte für Smartphones www designelektronik de