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DESIGN&ELEKTRONIK 06 2020 15 Bild 6 Professor Leo Lorenz rechts Konferenzdirektor der PCIM Europe im Gespräch mit unserem Redakteur Ralf Higgelke Bild WEKA Fachmedien leme gelöst seien Diskutiert man aber in der Tiefe dann ist das nur unter ganz speziellen Randbedingungen der Fall aber noch nicht im breiten Einsatzspektrum Dieser Punkt ist aber gerade bei der PCIM von besonderer Bedeutung da hier Anwendungsspezialisten zusammensitzen Nicht umsonst hat das JEDECKomitee JC-70 vor etwa einem Jahr eine Richtlinie herausgegeben wie der dynamische Einschaltwiderstand einheitlich zu messen sei siehe 3 Anm d Red » Bei hartem Schalten steigt der Einschaltwiderstand bei Galliumnitrid immer noch deutlich an « D&E Gibt es noch andere interessante Entwicklungen bei GaN? Lorenz Eine interessante Anwendung ist der DC-Circuit-Breaker im Automobil Dabei muss das Bauteil einen Gleichstrom von 300 Ampere sicher unterbrechen Das ist mit Galliumnitrid machbar und zwar in einer Backto-Back-Anordnung Referenzen 1 Amanor-Boadu J Met al The Impact of Pulse Charging Parameters on the Life Cycle of Lithium-Ion Polymer Batteries Energies 11 8 2018 2162 2 Ralf Higgelke ECPE-Workshop Leistungsmodule der Zukunft DESIGN&ELEKTRONIK 13 2019 55ff https tinyurl com w6cjvce 3 Ralf Higgelke Wide-BandgapHalbleiter Wie JC-70 an Standards für GaN und SiC arbeitet Elektroniknet https tinyurl com qmzo5dz 4 Ralf Higgelke Dekade der Aufbauund Verbindungstechnik eingeläutet DESIGN&ELEKTRONIK 04 2019 50ff https tinyurl com yxt3835y mit gemeinsamem Drain Durch die laterale Struktur bei GaN ist das sehr einfach zu realisieren Allerdings ist das Bauteil sehr empfindlich gegenüber Überspannungen Und durch das schnelle Schalten der Transistoren muss auch der Überspannungsschutz extrem schnell greifen Das ist noch ein ungelöster Punkt D&E Im letzten Jahr sagten Sie die nächste Dekade gehöre der Aufbauund Verbindungstechnik siehe 4 Anm d Red Was können wir da auf der PCIM erwarten? Lorenz Was bei Siliziumkarbid hinsichtlich Lastwechselfähigkeit herauszuholen ist werden uns die Forscher des japanischen AIST auf der Konferenz aufzeigen Im ersten Schritt nutzten sie eine entsprechend fortschrittliche Systemlötung und einen gedünnten Chip mit unter hundert Mikrometern Dadurch erreichen sie das Niveau heutiger IGBT-Module In einem zweiten Schritt verbesserten sie die Anbindung der Oberseite des Chips sodass sie im Endresultat die SiC-Module über 320 000 Lastzyklen bewältigen konnten s Bild 5 Anm d Red D&E Herr Professor Lorenz herzlichen Dank für das Gespräch Das Interview führte Ralf Higgelke www designelektronik de