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Nr 13 2020 www markttechnik de 3 Aktuell Nachrichten der SiC-Leistungshalbleiter mit Automotive-Zulassung in Serie produziert Treibender Motor für die Expansionspläne dürfte auch die Tatsache sein dass ST den Elektrofahrzeug-Pionier Tesla beliefert Nach Einschätzung von Marktanalysten dürfte ST inzwischen nach Cree Wolfspeed Nummer 2 am Markt sein noch vor Rohm Semiconductor und Infineon Technologies Zu den Unternehmen die in diesem Bereich derzeit am schnellsten aufholen gehört für die Marktforscher On Semiconductor Neben Tesla beliefert ST wie letzten September bekannt gegeben wurde auch Renault-NissanMitsubishi mit entsprechenden SiC-Lösungen Auch bei den Mitgliedern der französischjapanischen Automobilallianz geht es darum mit SiC-Bauteilen leistungsfähige Onboard-Ladegeräte zu entwickeln und einzusetzen Zu den weiteren Namen auf der Kundenliste aus dem Automobilbereich gehört der koreanische Hersteller Hyundai Kia Motor Company In Summe benennt ST derzeit 51 SiCProjekte mit 26 Kunden Dabei geht es konkret um 27 Projekte mit 15 Automotive-Kunden und 24 Industrieelektronikprojekte mit elf Kunden aus diesem Bereich Von der Patentseite her ist ST im SiC-Bereich gut aufgestellt das Unternehmen hält über 70 Patente In puncto Wafer-Versorgung fährt das Unternehmen zweigleisig So verlängerte ST erst im November letzten Jahres ein langjähriges Lieferabkommen mit Cree über die Lieferung von SiC-Rohund -Epitaxial-Wafern und verdoppelte dessen Wert auf über 500 Millionen Dollar Im Januar dieses Jahres gab ST dann bekannt mit der zur Rohm-Gruppe gehörenden SiCrystal einen mehrjährigen Liefervertrag über 150-mm-SiC-Wafer im Wert von über 120 Millionen Dollar abgeschlossen zu haben Um auf einem Wachstumsfeld wie SiC in Zukunft unabhängiger von Wettbewerbern zu werden verfolgt ST die Strategie einer vertikalen Integration Vor diesem Hintergrund übernahm ST bereits im Februar 2019 eine Mehrheit am schwedischen SiC-Waferhersteller Norstel Im ersten Schritt übernahm ST 55 Prozent der Anteile Im Dezember 2019 gab ST dann bekannt Norstel komplett übernommen zu haben zu einem Preis von 137 5 Millionen Dollar Mit Norstel stärkt ST nicht nur seine Versorgung mit 150-mm-Rohund Epitaxial-Wafern sondern auch seine R&D-Bemühungen in Sachen 200-mm-SiC-Wafer ST will zu 8-Zoll-Wafern übergehen wenn der Markt dies erfordert Da Cree Wolfspeed ab 2021 entsprechende Pläne verfolgt dürfte ST die Migration auf 8-Zoll-Wafer wohl in den kommenden zwei drei Jahren vorantreiben > SiC-Markt verfünffacht sich bis 2028 Welches Potenzial die SiC-Aktivitäten von ST in Zukunft bieten zeigen Marktprognosen von IHS aus dem letzten Jahr Darin gingen die Marktforscher davon aus dass sich der Umsatz im SiC-Markt von 983 7 Millionen Dollar im Jahr 2019 auf 4 831 Milliarden Dollar bis 2028 erhöht Motorantriebe weisen dabei mit 430 Prozent die höchsten Wachstumsraten auf gefolgt von EV-Ladestationen und Nutzkraftwagen Fast 50 Prozent des Umsatzes werden 2028 auf Module entfallen 20 Prozent auf MOSFETs und 16 9 Prozent auf Dioden Im GaN-Bereich ist ST erkennbar noch nicht so weit wie bei SiC Aber wie SiC bietet dieses Wideband-Gap-Material in den nächsten neun Jahren nach Einschätzung des Marktforschungsunternehmens IHS riesiges Wachstumspotenzial Ausgehend von einem Umsatzvolumen von 137 3 Millionen Dollar im Vorjahr soll der GaNMarkt bis 2028 auf 1 425 Milliarden Dollar wachsen Das größte Fortsetzung von Seite 1 Warum ST nun Vollgas gibt Wachstumspotenzial billigen die Marktforscher dabei Applikationen im HEVund EV-Bereich 553 Prozent sowie im Bereich industrieller Antriebe 319 Prozent und EV-Ladestationen 240 Prozent STs Motivation in GaN zu investieren dürfte vor allem von der Tatsache getrieben sein dass das Unternehmen für sich in Anspruch nimmt zusammen mit dem zweiten dominierenden Hersteller von Power-MOSFETs Infineon rund 50 Prozent des Marktes zu bedienen Ähnlich wie die SiC-Aktivitäten der Absicherung von STs Marktposition im Bereich IGBTAnwendungen im Automotiveund im Industriesektor dienen dürften zielen die GaN-Aktivitäten auf die Absicherung der Marktstellung im Power-MOSFET-Bereich Vor dem Hintergrund der eigenen R&D-Anstrengungen in Zusammenarbeit mit CEA-Leti im GaN-Bereich gab ST Ende Februar dieses Jahres eine Zusammenarbeit mit TSMC bekannt die zum Ziel hat die Entwicklung und Markteinführung von GaN-Leistungshalbleitern voranzutreiben Auch hier gilt das besondere Interesse von ST den Automotive-Applikationen Anfang März dann der nächste Zug ST übernimmt die Mehrheit am 2014 gegründeten französischen GaN-Pionier Exagan Die Vereinbarung sieht vor dass ST die Möglichkeit hat Exagan 24 Monate nach der Erlangung des Mehrheitsanteils zu übernehmen > Führend im Hinblick auf den Automotive Grade Exagan gilt als führend im Hinblick auf den Automotive Grade seiner Produkte ein Umstand der ST ebenso zu dieser Akquisition bewogen haben dürfte wie das Endto-End-Knowhow von Exagan in puncto GaN-Entwicklung Exagans erste marktfähige Produkte werden den USB-PDund den Stromversorgungsmarkt als Ziel haben ST wird den finalen Abschluss der Entwicklungsphase und die Markteinführung der Produkte unterstützen STs GaN-Entwicklungsanstrengungen in Catania werden fortgesetzt auch der im Vorjahr angekündigte Aufbau einer GaN-Pilotlinie in Tours läuft wie geplant ST seinerseits hat für die erste Jahreshälfte 2020 Engineering Samples seiner STPower-GaNProdukte angekündigt Dabei wird es sich um 650-V-Bausteine handeln deren Einschaltwiderstände bei 65 und 120 mΩ liegen werden Untergebracht sind sie in PowerFlatund 2SPAK-Gehäusen In der ersten Jahreshälfte 2021 sollen dann 100-V-Bausteine mit 3 und 5 mΩ im 2SPAK-Gehäuse folgen Eine Verlagerung der Exagan-Produktion von der X-Fab zu TSMC ist nicht geplant da Exagans Roadmap auf 200-mm-Linien ausgelegt ist und nicht auf 150 mm wie bei TSMC Analysten erwarten dass ST sehr schnell GaN-System-ICs oder Leistungsstufen entwickelt welche die Treiber-ICs von ST mit GaN-Chips von Exagan kombinieren eg n Jean-Marc Chery STMicroelectronics »Wir haben ein starkes Momentum im SiC-Bereich aufgebaut die Übernahme der Mehrheit an Exagan ist ein weiterer Schritt unsere technologische Führerschaft im Leistungshalbleiterbereich zu stärken und unsere GaN-Roadmap voranzubringen «