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Smart Mobility entwickelt Der Kantenemitter SPL DP90_3 Bild 4 links wurde auf eine kleine Strukturbreite von 70 μm ausgelegt sodass die Apertur definiert als Halbwertsbreite des Nahfeldes lediglich 110 μm × 10 μm beträgt Die kleine Emissionsfläche erlaubt im Systemaufbau kompakte Optiken um Materialkosten und Systemgröße gering zu halten Das Vorgängermodell SPL DS90A_3 Bild 4 Mitte wurde mit 200 μm Strukturbreite gefertigt und hat eine Apertur von 220 μm × 10 μm Die kleine Apertur ist mit geringerer optischer Ausgangsleistung verbunden Der SPL DP90_3 erzeugt 65 W Peakleistung und ist auf maximal 20 A Diodenstrom ausgelegt Der mit größerer Struktur gefertigte SPL DS90A_3 ist auf 40 A Diodenstrom spezifiziert und 125 W Peakleistung Die höchste Packungsdichte erreichen Laserbarren Mehrere Kantenemitter befinden sich nebeneinander in einem monolithischem Stück Wafer und werden im Herstellungsprozess für eine optimale Abstrahlcharakteristik aufeinander ausgerichtet Ein Beispiel dafür ist der Laserbarren SPL S4L90A_3 A01 im QFN-Gehäuse Bild 4 rechts mit insgesamt vier Emittern Er emittiert Licht mit 905 nm zentraler Wellenlänge 480 W Peakleistung 160 A Diodenstrom und ermöglicht Pulszeiten zwischen 1 ns und 100 ns Der Wärmewiderstand ist auf 17 k Wspezifiziert Dabei sind alle vier Kanäle aktiv VCSEL erreicht 60 % Wirkungsgrad VCSEL-Chips werden mit GaAs gefertigt Ein aktuelles Bauteil vom Hersteller Vixar der seit 2018 zu Osram OS gehört emittiert mit 940 nm Wellenlänge erzeugt 10 Woptische Ausgangsleistung bei 2 A Diodenstrom und 37 % Effizienz Bild 5 Die Chipgröße beträgt 1 94 mm × 1 94 mm Im Verlauf des Jahres 2020 wird eine weitere Variante mit 850 nm verfügbar sein CALL FOR PAPERS 28 - 29 Oktober 2020 Novotel München Messe Powered by Details zum Call for Papers fi nden Sie unter www leistungshalbleiteranwenderforum de Leistungshalbleiter sind Kernkomponenten jedes Netzteils DC DCWandlers oder Umrichters Doch der Markt für MOSFET IGBT & Co ist sehr breit es gibt eine Menge von Herstellern die solche Komponenten in einer nicht zu überblickenden Vielfalt anbieten Hinzu kommen noch die neuen Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid SiC und Galliumnitrid GaN Wie soll sich der Anwender in diesem »Dschungel« zurechtfi nden und den für seine Anwendung passenden Leistungshalbleiter identifi zieren? Wo liegen die Vorund Nachteile der unterschiedlichen Leistungshalbleiter-Lösungen? Hilfestellung sollen Entwickler auf dem »Anwenderforum Leistungshalbleiter« erhalten das die Markt&Technik sowie DESIGN&ELEKTRONIK vom 28 -29 Oktober 2020 in München veranstalten Bis zum 15 Mai 2020 haben Sie die Möglichkeit das Programm inhaltlich mitzugestalten Bitte reichen Sie ausschließlich technisch tiefgehende Vorträge ein produktund werbelastige Einreichungen können nicht berücksichtigt werden Folgende Themen seien als Anregung genannt ■ Typen von Leistungshalbleitern MOSFET IGBT Module SiC GaN ■ Vorund Nachteile verschiedener Typen ■ Aufbauund Verbindungstechnik bei Leistungshalbleitern und Power-Modulen ■ Gehäusebauformen sowie ihre jeweiligen Vorund Nachteile ■ Aufbauund Verbindungstechnik ■ Ausfallmechanismen Zuverlässigkeit und Alterung ■ Wärmemanagement im Bauteil selbst und vom Bauteil selbst ■ Beschaltung z B Gate-Ansteuerung Schutzbeschaltung ■ Elektromagnetische Verträglichkeit ■ Wandlerund Umrichter-Topologien sowie ihre jeweiligen Vorund Nachteile ■ Anwendungsbeispiele Elektromobilität regenerative Energien Weiße Braune Ware etc ■ Zusammenspiel mit anderen Komponenten z B Passive Zwischenkreis Bus-Bar etc ■ Kostenanalysen ■ Normen Reichweite Kurz mittel 50 m 150 m Hoch >200 m Sichtfeld h v 150 ° × 30 ° 120 ° × 20 ° Auflösung 0 2 ° × 0 2 ° 0 1 ° × 0 1 ° Bildwiederholrate 25 Hz 25 Hz Tabelle 2 Anforderungen an ein LiDAR-System nach kurzer mittlerer und hoher Reichweite Quelle Osram OS Bild 5 VCSEL-Chip mit 10 Woptischer Ausgangsleistung Bild Osram