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10 Buyers Guide Bauelemente 2026 www markttechnik de Halbleiter|Leistungshalbleiter terer Bauweise Dank seiner Gehäusestruktur ermöglicht es einen um 15 Prozent geringeren Wärmewiderstand um 50 Prozent reduzierte Induktivitätswerte und eine 2 3-mal höhere Leistungsdichte gegenüber herkömmlichen TO-247-Bauteilen Erhältlich sind die neuen Module von Rohm in den Topologien Halbbrücke und Common-Source – eine Flexibilität die nicht nur die Anzahl der benötigten Komponenten reduziert sondern auch die Montagefläche und den Entwicklungsaufwand eg Weisbauer Elektronik www weisbauer de info@weisbauer de Tel 0231 557302-0 Fax 0231 557602-0 Mehr Leistungsdichte Hochleistungsanwendungen wie das Laden von Elektrofahrzeugen Batterie-Energiespeichersystemen oder ähnliches stellen immer höhere Anforderungen an Leistungsdichte und Effizienz auf Systemebene Um diesen Anforderungen gerecht zu werden hat Infineon Technologies die CoolSiC MOSFETs 1400 V G2 im TO-247PLUS-4-Reflow-Gehäuse auf den Markt gebracht Diese Bauteile unterstützen höhere Zwischenkreisspannungen und ermöglichen eine verbesserte thermische Leistung eine geringere Systemgröße sowie eine höhere Zuverlässigkeit Erhältlich sind die neuen SiC-Bauteile in RDS on -Klassen von 6 bis 29 mOhm Lieferbar sind die Bauteile auch im TO-247-4-Gehäuse mit erhöhter Kriechstrecke und RDS on -Klassen von 11 bis 38 mOhm eg Infineon Technologies www infineon com support@infineon com Tel 089 234-0 Vereinfachte SiCund IGBT-Designs Littelfuse bringt mit dem IX4352NEAU den ersten AEC-Q100-zertifizierten Low-Side-Gate-Treiber auf den Markt der eine integrierte und verstellbare negative Gate-Treiber-Vorspannung bietet Dadurch entfällt die Notwendigkeit einer externen negativen Spannungsschiene oder kostspieliger DC DC-Wandler die normalerweise zur Unterdrückung des parasitären Einschaltens von Hochgeschwindigkeits-Leistungsbauelementen erforderlich sind Diese Funktion vereinfacht SiCund IGBT-Designs Zu den integrierten Schutzfunktionen gehören DESAT-Erkennung aktives Soft-Shutdown UVLO TSD und Fehlerausgang eg Littelfuse www Littelfuse com info@littelfuse com Tel 0421 82873-0 Fax 0421 82873-133 Kompakte Zenerdioden Mit der Serie XCEZ bringt Toshiba Electronics Zenerdioden im kompakten SOD-523-Gehäuse auf den Markt Konzipiert sind sie für den Überspannungsschutz im Automobilbereich Durch die kompakten Abmessungen der Gehäuse reduziert sich die Montagefläche der Zenerdioden um etwa 59 Prozent im Vergleich zum SOD-323-Gehäuse Ein niedriger dynamischer Widerstand sorgt für einen leichteren Fluss des Stoßstroms zur Zenerdiode So weist beispielsweise das Modell XCEZ5V6 einen dynamischen Widerstand RDYN von nur 0 16 Ohm auf Die neuen Produkte bieten darüber hinaus einen Überspannungsschutz bei langen Impulsdauern im Millisekundenbereich und erreichen eine hohe maximal zulässige Zener-Spitzenleistung von 6 Wbei einer Impulsbreite von 10 ms eg Toshiba Electronics Europe www toshiba semiconstorage com Tel 0211 5296-0 Niedriger VF und IR Herkömmliche Kompromisse zwischen VF und IR überwindet Rohm Semiconductor mit der Schottky-Barrier-Diode RBE01VYM6AFH Rohm ist es gelungen einen niedrigen IR-Wert zu realisieren Mit einem VF von weniger als 300 mV und einem IR von weniger als 20 mA erfüllt das Bauelement auch unter rauen Umgebungsbedingungen die Vorgaben des Marktes Untergebracht ist die Diode in einem kompakten SOD-323HE-Gehäuse 2 5 x 1 4 mm mit flachen Anschlüssen Die Schottky-Barrier-Diode ist AEC-Q101 qualifiziert eg Rohm Semiconductor www rohm com info@de rohmeurope com Tel 02154 9210 Fax 02154 921450 Höhere Effizienz in Industrie anwendungen Industrielle Anwendungen wie etwa das schnelle Laden von Elektrofahrzeugen mit Gleichstrom arbeiten unter rauen Bedingungen und schwankenden Lastprofilen Diese Systeme erfordern eine hohe Effizienz eine hohe Belastbarkeit bei thermischen Lastwechseln sowie eine lange Lebensdauer Infineon Technology reagiert darauf mit der Vorstellung seiner neuen EasyPACK-Gehäusefamilie Das erste Produkt im neuen Gehäuse sind CoolSiC-Leistungsmodule die Infineons 1200-V-CoolSiC-MOSFETs G2 und die XT-Verbindungstechnologie verbinden Im Vergleich zur vorhergehenden CollSiC-MOS-FET-G2-Technologie ermöglichen die neuen SiC-Bauteile eine um 30 Prozent höhere Leistungsdichte und eine bis zu 20-mal längere Lebensdauer im Vergleich zur Vorgängergeneration So halten die Module Überlast-Schaltbedingungen bis zu T 200 °Cstand Für eine Minute bieten die Module eine Isolationsleistung von 3 kVAC eg Infineon Technologies www infineon com support@infineon com Tel 089 234-0