Der Blätterkatalog benötigt Javascript.
Bitte aktivieren Sie Javascript in Ihren Browser-Einstellungen.
The Blätterkatalog requires Javascript.
Please activate Javascript in your browser settings.
www markttechnik de 39 2025 8 Aktuell Empower Semiconductor Serienproduktion von Crescendo soll Ende 2025 starten SiC-Packaging Infineon kooperiert mit Rohm Empower Semiconductor gibt bekannt dass Muster der Crescendo-Plattform vorliegen und dass die Serienproduktion noch Ende des Jahres starten soll Tim Phillips CEO President und Gründer von Empower Semiconductor erklärt »Mit den inzwischen weit fortgeschrittenen Kundenprojekten und unserer kürzlich abgeschlossenen Series-D-Finanzierungsrunde über 140 Millionen Dollar sind wir bestens gerüstet um bis Ende 2025 in die Serienproduktion zu starten und unsere Kapazitäten schnell zu skalieren « Bei Crescendo handelt es sich um eine vertikal gekoppelte Stromversorgung für leistungshungrige Prozessoren in Rechenzentren Crescendo wurde im Herbst letzten Jahres vorgestellt und basiert auf der patentierten FinFast-Architektur Dank des besonderen Ansatzes können die hochdichten ultraflachen und thermisch optimierten Gehäuse von Crescendo direkt unter den Prozessoren platziert werden laterale Übertragungsverluste gehören der Vergangenheit an Laut Empower zeichnet sich die Crescendo-Plattform durch diverse Vorteile aus Dazu gehört eine um den Faktor 20 höhere Bandbreite als herkömmliche Stromwandler Damit eliminiert Crescendo praktisch alle hochfrequenten Entkopplungskondensatoren auf der Leiterplatte und verlagert die aktive Leistungswandlung direkt unter den Prozessor Darüber hinaus bietet Crescendo eine 5-fach höhere Gesamtlösungsdichte bei gleicher Ausgangsleistung und ermöglicht damit eine echte vertikale Stromversorgung auf nur 1 bis 2 mm Bauhöhe Und zu guter Letzt reduziert Crescendo die Leistungsverluste im Vergleich zu herkömmlichen Architekturen um über 10 Prozent Für ein typisches Rechenzentrum mit 100 000 CPU-Instanzen bedeutet dies eine Energieeinsparung von mehr als 8 MW st ■ Infineon Technologies und Rohm haben eine Absichtserklärung unterzeichnet um bei SiC-Leistungshalbleitern als wechselseitige zweite Bezugsquelle Second Source aufzutreten Ziel ist es Kunden mehr Flexibilität bei Design und Beschaffung zu geben Entwickler können künftig kompatible Bauteile mit identischen Gehäusen sowohl von Infineon als auch von Rohm beziehen und so Lieferengpässe vermeiden oder schneller zwischen den Herstellern wechseln SiC-Bausteine kommen in Onboard-Ladegeräten für Elektrofahrzeuge Photovoltaikanlagen Energiespeichersystemen und KI-Rechenzentren zum Einsatz wo hohe Effizienz und thermische Robustheit entscheidend sind Im Rahmen der Kooperation übernimmt Rohm die von Infineon entwickelte Top-Side-Cooling-Plattform für SiC darunter die Gehäuse TOLT D-DPAK Q-DPAK Q-DPAK dual und H-DPAK Diese Plattform bietet eine einheitliche Bauhöhe von 2 3 mm was die Kühlung vereinfacht die Platzausnutzung auf der Leiterplatte verbessert und eine bis zu doppelt so hohe Leistungsdichte ermöglicht Parallel entwickelt Infineon ein Produkt auf Basis des von Rohm stammenden DOT-247-Gehäuses mit SiC-Halbbrückenkonfiguration Dieses Double-TO-247-Design integriert zwei TO-247-Gehäuse senkt den Wärmewiderstand um rund 15 % und die Induktivität um 50 % gegenüber Standardlösungen und erlaubt dadurch eine 2 3-fache Leistungsdichte Langfristig wollen beide Unternehmen ihre Zusammenarbeit auf weitere Gehäuse für Siliziumund Wide-Bandgap-Technologien wie SiC und GaN ausdehnen st ■ Crescendo basiert auf der FinFast-Architektur und fungiert als vertikale Stromversorgungsplattform für leistungshungrige Prozessoren in Rechenzentren Bild Empower Semiconductor Links Dr Peter Wawer Division President Green Industrial Power bei Infineon rechts Dr Kazuhide Ino Mitglied des Vorstands Managing Executive Officer verantwortlich für das Power Devices Geschäft bei Rohm Bild Infineon